BD243CG TO220 ON
Symbol Micros:
TBD243cg ON
Gehäuse: TO220
Transistor NPN; 30; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 30; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: | 65W |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
Gehäuse: | TO220 |
Grenzfrequenz: | 3MHz |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 6A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BD243CG
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
8100 stk.
Anzahl Stück | 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4568 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BD243CG
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1900 stk.
Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5913 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BD243CG
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1526 stk.
Anzahl Stück | 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,4842 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-10-16
Anzahl Stück: 700
Verlustleistung: | 65W |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
Gehäuse: | TO220 |
Grenzfrequenz: | 3MHz |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 6A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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