BD243CG TO220 ON

Symbol Micros: TBD243cg ON
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Transistor NPN; 30; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 30; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 65W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO220
Stromverstärkungsfaktor: 30
Grenzfrequenz: 3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 6A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BD243CG RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
278 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 250+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,0224 0,6809 0,5262 0,4939 0,4870
Standard-Verpackung:
50/750
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BD243CG Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
119 stk.
Anzahl Stück 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,8978
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BD243CG Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
2900 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,7963
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 65W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO220
Stromverstärkungsfaktor: 30
Grenzfrequenz: 3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 6A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN