BD243CG TO220 ON

Symbol Micros: TBD243cg ON
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Transistor NPN; 30; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 30; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 65W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 30
Gehäuse: TO220
Grenzfrequenz: 3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 6A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BD243CG RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
709 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1316 0,8634 0,7152 0,6258 0,5952
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BD243CG Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
135 stk.
Anzahl Stück 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,9028
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BD243CG Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1100 stk.
Anzahl Stück 300+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5952
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BD243CG Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
4250 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6948
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-07-24
Anzahl Stück: 1000
Verlustleistung: 65W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 30
Gehäuse: TO220
Grenzfrequenz: 3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 6A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN