BD680 JSMICRO
Symbol Micros:
TBD680 JSM
Gehäuse: TO126
PNP Darlington-Transistor; 750; 40W; 80V; 4A; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BD680-ST; BD680G;
Parameter
Verlustleistung: | 40W |
Hersteller: | JSMICRO |
Stromverstärkungsfaktor: | 750 |
Gehäuse: | TO126 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 4A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: BD680 RoHS
Gehäuse: TO126bulk
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2890 | 0,1539 | 0,1194 | 0,1102 | 0,1055 |
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: BD680 RoHS
Gehäuse: TO126bulk
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2796 | 0,1776 | 0,1245 | 0,1083 | 0,1013 |
Verlustleistung: | 40W |
Hersteller: | JSMICRO |
Stromverstärkungsfaktor: | 750 |
Gehäuse: | TO126 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 4A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | Darlington PNP |
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