BD680 JSMICRO

Symbol Micros: TBD680 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
PNP Darlington-Transistor; 750; 40W; 80V; 4A; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BD680-ST; BD680G;
Parameter
Verlustleistung: 40W
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO126
Stromverstärkungsfaktor: 750
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BD680 RoHS Gehäuse: TO126bulk  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2867 0,1527 0,1184 0,1093 0,1047
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BD680 RoHS Gehäuse: TO126bulk  
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2774 0,1762 0,1235 0,1074 0,1005
Standard-Verpackung:
200
Verlustleistung: 40W
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO126
Stromverstärkungsfaktor: 750
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: Darlington PNP