BD680 JSMICRO

Symbol Micros: TBD680 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
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PNP Darlington-Transistor; 750; 40W; 80V; 4A; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BD680-ST; BD680G;
Parameter
Verlustleistung: 40W
Gehäuse: TO126
Hersteller: JSMICRO
Stromverstärkungsfaktor: 750
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BD680 RoHS Gehäuse: TO126bulk Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2808 0,1495 0,1160 0,1071 0,1025
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BD680 RoHS Gehäuse: TO126bulk Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2717 0,1726 0,1210 0,1052 0,0984
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Standard-Verpackung:
200
Verlustleistung: 40W
Gehäuse: TO126
Hersteller: JSMICRO
Stromverstärkungsfaktor: 750
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: Darlington PNP

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