BD681

Name: TBD681sgs TBD681sgs
Brand: ST
SKU: TBD681sgs
Price: 0.2168 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBD681sgs

Gehäuse: TO126

Transistor NPN; 750; 40W; 100V; 4A; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 750; 40W; 100V; 4A; -65°C ~ 150°C;

Parameter

Verlustleistung:	40W
Hersteller:	STMicroelectronics
Gehäuse:	TO126
Stromverstärkungsfaktor:	750
Grenzfrequenz:	1MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD681 RoHS Gehäuse: TO126 Datenblatt

Auf Lager:

550 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5415	0,3291	0,2521	0,2278	0,2168

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD681 Gehäuse: TO126

Externes Lager:

96 stk.

Anzahl Stück	1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,5156

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD681 Gehäuse: TO126

Externes Lager:

255443 stk.

Anzahl Stück	850+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2168

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD681 Gehäuse: TO126

Externes Lager:

9350 stk.

Anzahl Stück	50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2168

Verlustleistung:	40W
Hersteller:	STMicroelectronics
Gehäuse:	TO126
Stromverstärkungsfaktor:	750
Grenzfrequenz:	1MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN

Anzahl Stück	3+	10+	50+	300+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,3174	0,2035	0,1436	0,1221	0,1155

Anzahl Stück	3+	10+	50+	300+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,3174	0,2035	0,1436	0,1221	0,1155

Anzahl Stück	3+	10+	50+	300+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,3174	0,2035	0,1436	0,1221	0,1155

Anzahl Stück	3+	10+	50+	300+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,3174	0,2035	0,1436	0,1221	0,1155

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2871	0,1529	0,1186	0,1095	0,1048