BD912 sgs

Symbol Micros: TBD912sgs
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
PNP 15A 100V 90W 3MHz PNP 15A 100V 90W 3MHz
Parameter
Verlustleistung: 90W
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: TO220
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD912 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
43 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 450+
Nettopreis (EUR) 0,8321 0,5221 0,4102 0,3729 0,3613
Standard-Verpackung:
43
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD912 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
6 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 450+
Nettopreis (EUR) 0,8321 0,5221 0,4102 0,3729 0,3613
Standard-Verpackung:
39
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD912 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
350 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 450+
Nettopreis (EUR) 0,8321 0,5221 0,4102 0,3729 0,3613
Standard-Verpackung:
50/450
Verlustleistung: 90W
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: TO220
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP