BDX33C JSMICRO

Symbol Micros: TBDX33c JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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NPN Darlington-Transistor; 1000; 65W; 100V; 5A; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BDX33CG; BDX33CTU; BDX33C-S;
Parameter
Verlustleistung: 65W
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO220
Stromverstärkungsfaktor: 1000
Max. Kollektor-Strom [A]: 5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BDX33C RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
175 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4630 0,2796 0,2154 0,1943 0,1850
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Standard-Verpackung:
50
Verlustleistung: 65W
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO220
Stromverstärkungsfaktor: 1000
Max. Kollektor-Strom [A]: 5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: Darlington NPN

Symbol Micros

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