BSP315P

Name: TBSP315p TBSP315p
Brand: Infineon
SKU: TBSP315p
Price: 0.3714 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSP315p

Gehäuse: SOT223t/r

P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 1,4 Ohm; 1,17A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP315P; BSP315PH6327XTSA1; BSP315P H6327; BSP315PH6327;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,4Ohm
Max. Drainstrom:	1,17A
Maximaler Leistungsverlust:	1,8W
Gehäuse:	SOT223t/r
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP315PH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

Auf Lager:

1150 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8533	0,5406	0,4278	0,3878	0,3714

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP315PH6327XTSA1 Gehäuse: SOT223t/r

Externes Lager:

81000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3714

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP315PH6327XTSA1 Gehäuse: SOT223t/r

Externes Lager:

174000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3714

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP315PH6327XTSA1 Gehäuse: SOT223t/r

Externes Lager:

9775 stk.

Anzahl Stück	25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3714

Widerstand im offenen Kanal:	1,4Ohm
Max. Drainstrom:	1,17A
Maximaler Leistungsverlust:	1,8W
Gehäuse:	SOT223t/r
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	3+	10+	50+	300+	1500+
Nettopreis (EUR)	0,3291	0,2155	0,1549	0,1326	0,1262

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5124	0,3103	0,2398	0,2158	0,2052