BSS123 smd

Symbol Micros: TBSS123
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 170mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BSS123LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
14630 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1500 0,0712 0,0401 0,0305 0,0273
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BSS123LT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
1391780 stk.
Anzahl Stück 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0318
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BSS123LT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
4608000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0340
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 170mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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