BSS123 smd

Symbol Micros: TBSS123
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 170mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BSS123LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
19030 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1546 0,0734 0,0413 0,0314 0,0281
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 170mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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