BSS84 SOT23 LGE

Symbol Micros: TBSS84 LGE
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 130mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: LGE
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BSS84 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
11997 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0742 0,0286 0,0139 0,0111 0,0106
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Standard-Verpackung:
3000/12000
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 130mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: LGE
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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