SMD-Leistungsinduktivität; 100uH

Symbol Micros: D DL4N-100
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: Rys.DL4N
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SMD-Leistungsinduktivität; Induktivität: 100uH; 20%; Strom: 360mA; Widerstand: 2,21R; Abmessungen: 4,5x3,2x2,6mm
Parameter
Abmessungen: 4.5x3.2x2.6mm
Induktivität: 100uH
Drossel-Typ: Leistung
Hersteller: N/A
Montage: SMD
Strom: 0,36A
Widerstand: 2,21 Ohm
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Abmessungen: 4.5x3.2x2.6mm
Induktivität: 100uH
Drossel-Typ: Leistung
Hersteller: N/A
Montage: SMD
Strom: 0,36A
Widerstand: 2,21 Ohm
Toleranz: 20%

Symbol Micros

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