DB3 LGE
Symbol Micros:
DDB3 LGE
Gehäuse: DO35amm
bidirektional; Itrm=2A; Vbo=32V; Vo=5V; DB3-LGE
Parameter
| Hersteller: | LGE |
| Gehäuse: | DO35amm |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 125°C |
| Typ des Thyristors: | Diak |
| Vorwärtsstrom: | 2A |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-12-20
Anzahl Stück: 10000
| Hersteller: | LGE |
| Gehäuse: | DO35amm |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 125°C |
| Typ des Thyristors: | Diak |
| Vorwärtsstrom: | 2A |
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Menge (Vielfache 1)
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