BAV99LT1G dioda impulsowa podwójna
Symbol Micros:
DIBAV99 smd ONS
Gehäuse: SOT23
0,15A; 100V; ultraschnell <6 ns; -65°C~150°C; Verpackung: Band/Rolle BAV99LT3G
Parameter
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ONSEMI |
| Vorwärtsstrom: | 150mA |
| Rückspannung max.: | 100V |
| Montage: | SMD |
| Typ: | Schaltdiode |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BAV99LT1G RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
30000 stk.
| Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1028 | 0,0406 | 0,0236 | 0,0173 | 0,0158 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BAV99LT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
768000 stk.
| Anzahl Stück | 15000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0158 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BAV99LT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
13629000 stk.
| Anzahl Stück | 15000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0158 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BAV99LT3G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
2970000 stk.
| Anzahl Stück | 20000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0158 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ONSEMI |
| Vorwärtsstrom: | 150mA |
| Rückspannung max.: | 100V |
| Montage: | SMD |
| Typ: | Schaltdiode |
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