BAV99LT1G dioda impulsowa podwójna

Symbol Micros: DIBAV99 smd ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
0,15A; 100V; ultraschnell <6 ns; -65°C~150°C; Verpackung: Band/Rolle BAV99LT3G
Parameter
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ONSEMI
Vorwärtsstrom: 150mA
Rückspannung max.: 100V
Typ: Schaltdiode
Montage: SMD
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BAV99LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2230 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1047 0,0413 0,0240 0,0176 0,0161
Standard-Verpackung:
3000/30000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BAV99LT3G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
4220000 stk.
Anzahl Stück 50000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0161
Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BAV99LT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
66000 stk.
Anzahl Stück 39000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0161
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ONSEMI
Vorwärtsstrom: 150mA
Rückspannung max.: 100V
Typ: Schaltdiode
Montage: SMD
Ausführliche Beschreibung

Schaltdiode BAV99 SMD ONS

Die BAV99-Diode ist eines der beliebtesten und vielseitigsten dualen Schnellschalt-Bauelemente auf dem Markt. Hergestellt von ON Semiconductor (ONS) und geliefert im miniaturisierten SOT-23-SMD-Gehäuse, kombiniert sie zwei Signaldioden in Serie in einem Gehäuse. Sie ist eine ideale Lösung für Anwendungen, die zuverlässiges, hochfrequentes Schalten und eine hohe Bauteiledichte auf der Leiterplatte erfordern.

Hauptmerkmale und Spezifikationen der BAV99-Diode

Die interne Konfiguration der BAV99 (zwei in Serie geschaltete Dioden) ermöglicht eine flexible Nutzung in logischen und analogen Schaltungen bei minimalem Platzbedarf. Durch die sehr kurze Sperrerholzeit ist diese Schaltdiode in Hochgeschwindigkeits-Schnittstellen unverzichtbar.

Wichtigste technische Parameter der BAV99-Diode:

  • Diodentyp: Dual Switching Diode
  • Konfiguration: zwei Dioden in Serie geschaltet
  • Maximale Sperrspannung (VR): 70 V
  • Dauer-Durchlassstrom (IF): 200 mA
  • Sperrerholzeit (trr): 6 ns
  • Gehäuse: SOT-23, SMD-Montage

Diese Parameterkombination, insbesondere die kurze Schaltzeit, macht die BAV99-Diode ideal für Projekte, bei denen eine präzise Signalsteuerung über einen weiten Betriebstemperaturbereich erforderlich ist.

Typische Anwendungen der BAV99-Schaltdiode

Dank ihrer dualen Architektur und hohen Geschwindigkeit findet die BAV99-Diode breite Anwendung in Applikationen, die symmetrische oder komplementäre Signalsteuerung erfordern und gleichzeitig die Anzahl der verwendeten Bauteile minimieren. Typische Anwendungen sind:

  • Schnellschalten von Signalen in digitalen und analogen Schaltungen
  • Überspannungsschutz (Clamping Circuits) und Rauschfilterung
  • Kleinsignal-Gleichrichterschaltungen bei hohen Frequenzen
  • Logikschaltungen in Telekommunikations- und Rechengeräten
  • Die BAV99-Diode im SOT-23-Gehäuse, erhältlich bei Micros, ist ein verifiziertes Bauelement von ON Semiconductor, das hohe Zuverlässigkeit und stabile Parameter in Hochfrequenzanwendungen bietet. Sie ist unverzichtbar für alle, die miniaturisierte elektronische Geräte entwickeln.