BAV99LT1G dioda impulsowa podwójna

Symbol Micros: DIBAV99 smd ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
0,15A; 100V; ultraschnell <6 ns; -65°C~150°C; Verpackung: Band/Rolle BAV99LT3G
Parameter
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ONSEMI
Vorwärtsstrom: 150mA
Rückspannung max.: 100V
Typ: Schaltdiode
Montage: SMD
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BAV99LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
14230 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1041 0,0411 0,0238 0,0175 0,0160
Standard-Verpackung:
3000/30000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BAV99LT3G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
4350000 stk.
Anzahl Stück 50000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0160
Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BAV99LT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
66000 stk.
Anzahl Stück 39000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0160
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ONSEMI
Vorwärtsstrom: 150mA
Rückspannung max.: 100V
Typ: Schaltdiode
Montage: SMD