DMG1012T-7 HXY MOSFET

Symbol Micros: TDMG1012T-7 HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT523
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 150mOhm; 800mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: DMG1012T-13;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 800mA
Maximaler Leistungsverlust: 150mW
Gehäuse: SOT523
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: DMG1012T-7 RoHS Gehäuse: SOT523 Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1281 0,0588 0,0320 0,0240 0,0214
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 800mA
Maximaler Leistungsverlust: 150mW
Gehäuse: SOT523
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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