DMG1012UW-7 Diodes

Symbol Micros: TDMG1012uw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 6V; 750 mOhm; 1A; 290 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 750mOhm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 290mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 6V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG1012UW-7 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1600 0,0760 0,0428 0,0323 0,0291
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2027-12-31
Anzahl Stück: 6000
Widerstand im offenen Kanal: 750mOhm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 290mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 6V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole