DMG1012UW-7 Diodes
Symbol Micros:
TDMG1012uw
Gehäuse: SOT323
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 6V; 750 mOhm; 1A; 290 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 750mOhm |
Max. Drainstrom: | 1A |
Maximaler Leistungsverlust: | 290mW |
Gehäuse: | SOT323 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMG1012UW-7 RoHS
Gehäuse: SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
22200 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1614 | 0,0767 | 0,0432 | 0,0326 | 0,0293 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMG1012UW-7
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
5502000 stk.
Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0293 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMG1012UW-7
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
129000 stk.
Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0293 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMG1012UW-7
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
129000 stk.
Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0293 |
Widerstand im offenen Kanal: | 750mOhm |
Max. Drainstrom: | 1A |
Maximaler Leistungsverlust: | 290mW |
Gehäuse: | SOT323 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 6V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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