ES1G SMA HXY MOSFET gleichrichterdiode

Symbol Micros: DP ES1G HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DO214AC-SMA
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1A; 400V; ultraschnell <35ns; verpackung: band/rolle
Parameter
Gehäuse: DO214AC-SMA
Hersteller: HXY MOSFET
Vorwärtsstrom: 1A
Spannung: 400V
Montage: SMD
Typ: Dioda prostownicza prostownicza
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: ES1G RoHS Gehäuse: DO214AC-SMA Datenblatt
Auf Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 300+ 2000+ 4000+
Nettopreis (EUR) 0,0750 0,0298 0,0157 0,0120 0,0115
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Standard-Verpackung:
2000/4000
Gehäuse: DO214AC-SMA
Hersteller: HXY MOSFET
Vorwärtsstrom: 1A
Spannung: 400V
Montage: SMD
Typ: Dioda prostownicza prostownicza

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