ES1G SMA HXY MOSFET rectifier diode

Symbol Micros: DP ES1G HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DO214AC-SMA
1A; 400V; ultra fast <35ns; packaging: tape&reel;
Parameter
Gehäuse: DO214AC-SMA
Hersteller: HXY MOSFET
Vorwärtsstrom: 1A
Spannung: 400V
Montage: SMD
Typ: Dioda prostownicza prostownicza
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: ES1G RoHS Gehäuse: DO214AC-SMA Datenblatt
Auf Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 300+ 2000+ 4000+
Nettopreis (EUR) 0,0758 0,0301 0,0158 0,0121 0,0117
Standard-Verpackung:
2000/4000
Gehäuse: DO214AC-SMA
Hersteller: HXY MOSFET
Vorwärtsstrom: 1A
Spannung: 400V
Montage: SMD
Typ: Dioda prostownicza prostownicza