BAT54S Diode Schottky podwójna
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Vorwärtsstrom: | 200mA |
| Rückspannung max.: | 30V |
| Verpackungs-Art: | Band/Rolle |
| Montage: | SMD |
| Typ: | Schottky |
| Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1072 | 0,0422 | 0,0247 | 0,0180 | 0,0165 |
| Anzahl Stück | 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0165 |
| Anzahl Stück | 36000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0165 |
| Anzahl Stück | 12000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0165 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Vorwärtsstrom: | 200mA |
| Rückspannung max.: | 30V |
| Verpackungs-Art: | Band/Rolle |
| Montage: | SMD |
| Typ: | Schottky |
Schottky-Diode BAT54S SMD
Die Diode BAT54S ist ein hocheffizientes Schottky-Bauelement, das sich durch extrem niedrigen Durchlassspannungsabfall (VF) und sehr schnelles Schalten auszeichnet. Geliefert von ON Semiconductor (ONS) im SOT-23-SMD-Gehäuse kombiniert sie zwei Schottky-Dioden in einem Gehäuse. Sie ist die ideale Wahl für Projekte, bei denen die Minimierung von Leistungsverlusten und schnelles Schalten entscheidend sind, wie z. B. Schutzschaltungen und Niedrigleistungs-Gleichrichter.
Hauptmerkmale und Spezifikationen der Diode BAT54S
Die BAT54S-Konfiguration (zwei in Reihe geschaltete Dioden) ermöglicht flexible Anwendungen in Schutz- und Klemmschaltungen (clamping circuits). Ihr entscheidender Vorteil ist der niedrige Durchlassspannungsabfall, der die Energieeffizienz der Schaltung deutlich verbessert.
Wichtigste technische Parameter der Diode BAT54S:
- Diodentyp: Schottky-Diode (Schottky-Barriere-Diode)
- Konfiguration: Doppeldiode in Reihe geschaltet im SOT-23-Gehäuse
- Maximale Sperrspannung (VR): 30 V
- Dauer-Durchlassstrom (IF): 200 mA
- Durchlassspannungsabfall (VF): sehr niedrig, minimiert Leistungsverluste
- Gehäuse: SOT-23, SMD-Montage
Diese Parameterkombination, insbesondere der niedrige VF-Wert, macht die BAT54S-Diode unverzichtbar für Anwendungen, die hohe Effizienz und minimale Wärmeentwicklung erfordern.
Typische Anwendungen der Diode BAT54S
Dank ihrer doppelten Architektur und minimaler Energieverluste findet die BAT54S-Diode breite Anwendung in Versorgungs- und Signalapplikationen, bei denen ihre Geschwindigkeit und niedrige VF messbare Vorteile bieten. Hauptanwendungen sind:
- Verpolungs- und Transientenschutz in 3,3V- und 5V-Schaltungen
- Klemmschaltungen und Spannungsbegrenzer
- Niedrigleistungs-Gleichrichter in Niederspannungssystemen
- Mischer und Detektoren in Hochfrequenz- (RF-)Anwendungen
Die BAT54S-Diode im SOT-23-Gehäuse, erhältlich bei Micros, ist ein verifiziertes Bauelement von ON Semiconductor, das hohe Zuverlässigkeit und konstante Parameter bietet, die für präzise Anwendungen erforderlich sind. Sie ist ein Muss für alle, die energieeffiziente Systeme entwerfen.