Schottky-Diode BAT54S UMW

BAT54S UMW - Charakterystyka ogólna i zastosowanie diody

Dioda BAT54S produkowana przez firmę UMW to specjalistyczny element półprzewodnikowy wykorzystujący barierę Schottky'ego, umieszczony w przystosowanej do zautomatyzowanego montażu powierzchniowego obudowie SOT-23. Zgodnie z oficjalną dokumentacją techniczną komponent ten charakteryzuje się niezwykle krótkim czasem przełączania, co stanowi kluczowy parametr z perspektywy projektowania zaawansowanych obwodów sygnałowych. Wynikający z właściwości złącza krótki czas powrotu do stanu zaporowego, wynoszący w tym modelu maksymalnie 5ns, kwalifikuje ten podzespół do ciągłej pracy w układach wymagających bardzo szybkiej zmiany stanu logicznego lub napięciowego. W praktyce inżynierskiej podzespoły o tego rodzaju specyfikacji znajdują szerokie zastosowanie w obwodach zabezpieczających przed odwróceniem polaryzacji zasilania, w układach szybkiego formowania impulsów cyfrowych oraz w obwodach sprzętowej detekcji sygnałów wysokiej częstotliwości. Standaryzowany układ wyprowadzeń w trójpiniowej obudowie SOT-23, oznaczony unikalnym kodem KL4 dedykowanym specyficznie dla wersji BAT54S, pozwala na znaczną minimalizację zajmowanej powierzchni roboczej na płytce obwodu drukowanego, co ma pierwszorzędne znaczenie w gęsto upakowanych systemach wbudowanych.

BAT54S UMW - Dopuszczalne wartości graniczne

W procesie projektowania urządzeń elektronicznych wykorzystujących omawiany podzespół wymagane jest bezwzględne zachowanie rygorystycznych limitów fizycznych. Poniższe maksymalne parametry robocze, precyzyjnie określone dla temperatury otoczenia równej 25°C, nie mogą być przekraczane ze względu na wysokie ryzyko nieodwracalnego uszkodzenia struktury samego półprzewodnika:

• Szczytowe napięcie wsteczne (Working Peak Reverse Voltage): 30V
• Ciągły prąd przewodzenia (Forward Continuous Current): 200mA
• Jednorazowy szczytowy prąd udarowy przewodzenia dla czasu t<1s: 600mA
• Powtarzalny szczytowy prąd przewodzenia dla czasu t<=1s oraz współczynnika wypełnienia delta<=0.5: 300mA
• Maksymalna dopuszczalna całkowita moc strat (Power Dissipation): 200mW
• Rezystancja termiczna pomiędzy złączem a otoczeniem: 500°C/W
• Dopuszczalna maksymalna temperatura robocza złącza: 125°C
• Zakres temperatury przechowywania elementu: od -55°C do +150°C

BAT54S UMW - Charakterystyka elektryczna komponentu

Profesjonalna analiza sygnałowa obwodów z zaimplementowaną diodą BAT54S opiera się na zadeklarowanych parametrach elektrycznych, zdefiniowanych nominalnie dla temperatury otoczenia wynoszącej 25°C. Przedstawione poniżej parametry ściśle wyznaczają fizyczne zachowanie diody w stanie przewodzenia prądu oraz w wymuszonym stanie zaporowym:

• Minimalne napięcie przebicia przy prądzie wstecznym równym 100μA wynosi dokładnie 30V
• Napięcie przewodzenia osiąga maksymalnie 0.24V dla prądu o wartości rzędu 0.1mA
• Napięcie przewodzenia osiąga maksymalnie 0.32V dla prądu o wartości rzędu 1mA
• Napięcie przewodzenia osiąga maksymalnie 0.40V dla prądu o wartości rzędu 10mA
• Napięcie przewodzenia osiąga maksymalnie 0.50V dla prądu o wartości rzędu 30mA
• Napięcie przewodzenia osiąga maksymalnie 1V dla prądu o wartości rzędu 100mA
• Prąd wsteczny mierzony przy stałym napięciu wstecznym 25V nie przekracza wartości 2μA
• Całkowita pojemność złącza diody nie przekracza poziomu 10pF przy pomiarze dla napięcia wstecznego 1V oraz częstotliwości referencyjnej 1MHz
• Czas powrotu do stanu zaporowego wynosi maksymalnie 5ns (w ścisłych warunkach testowych: gdzie prąd przewodzenia i prąd wsteczny wynoszą 10mA, prąd odzyskiwania wynosi 0.1xIR, natomiast sumaryczna rezystancja obciążenia obwodu wynosi 100Ω)

BAT54S UMW - Parametry fizyczne i wymiary obudowy SOT-23

Zastosowana obudowa wykonana w całości z tworzywa sztucznego o rynkowym profilu SOT-23 determinuje stałe wymiary fizyczne kompletnego podzespołu. Całkowita długość omawianego elementu mieści się w tolerancyjnym przedziale od 2.8mm do 3.0mm. Odległość obejmująca szerokość korpusu wraz z fabrycznie wygiętymi wyprowadzeniami zewnętrznymi wynosi od 2.25mm do 2.55mm, podczas gdy szerokość samej struktury plastikowej zawiera się w przedziale od 1.2mm do 1.4mm. Całkowita grubość zmontowanego elementu półprzewodnikowego waha się w granicach od 0.9mm do 1.15mm. Rozstaw poszczególnych wyprowadzeń wynosi typowo 0.95mm, a fizyczna szerokość pojedynczego pinu lutowniczego zamyka się w granicach od 0.3mm do 0.5mm. Parametry te zostały ustandaryzowane celem pełnego zapewnienia niezawodnej kompatybilności z zaawansowanymi maszynami montażowymi typu pick-and-place stosowanymi na zautomatyzowanych liniach produkcji elektroniki.