P6SMB33A DO214AA(SMB)

P6SMB33A DO214AA-SMB MIC - Charakterystyka ogólna urządzenia

Dioda zabezpieczająca P6SMB33A DO214AA-SMB MIC to jednokierunkowy półprzewodnikowy element z grupy transilów (TVS - Transient Voltage Suppressor), zaprojektowany do montażu powierzchniowego. Komponent ten służy do ochrony obwodów elektronicznych przed wpływem przepięć przejściowych, generowanych przez wyładowania elektrostatyczne, procesy komutacyjne w sieciach indukcyjnych oraz anomalie zasilania. Parametry fizyczne tego modelu obejmują bardzo krótki czas reakcji, który wynosi typowo poniżej 1.0ps w przedziale od 0V do minimalnego napięcia przebicia. Taka charakterystyka czasowa pozwala na eliminację impulsów zakłóceniowych, zapobiegając uszkodzeniom struktury chronionych układów scalonych.

P6SMB33A DO214AA-SMB MIC - Zastosowanie w układach elektronicznych

Zastosowanie diody P6SMB33A DO214AA-SMB MIC obejmuje układy przemysłowe, telekomunikacyjne i zasilające. Element ten jest implementowany jako zabezpieczenie równoległe w przetwornicach napięcia DC/DC, zasilaczach impulsowych oraz obwodach stabilizujących prąd. Napięcie robocze na poziomie 28.2V pozwala na jego wykorzystanie do ochrony linii sygnałowych, szyn danych oraz interfejsów komunikacyjnych.

Podczas standardowej pracy układu dioda pozostaje w stanie zaporowym, charakteryzując się wysoką impedancją oraz prądem upływu, który dla tego elementu wynosi maksymalnie 5.0μA. W momencie wystąpienia przepięcia o amplitudzie przewyższającej napięcie przebicia (zawarte w przedziale od 31.4V do 34.7V), złącze P-N natychmiastowo przechodzi w obszar lawinowego przewodzenia prądu. Element zwiera chroniony obwód, przejmując energię impulsu i ograniczając skok napięcia do bezpiecznej wartości zaciskania wynoszącej 45.7V. Dioda absorbuje impuls o prądzie szczytowym 13.2A oraz mocy 600W w czasie 1ms. Po wygaszeniu zjawiska przepięciowego element samoistnie powraca do początkowego stanu wysokiej impedancji, umożliwiając dalszą pracę urządzenia.

P6SMB33A DO214AA-SMB MIC - Specyfikacja techniczna i parametry elektryczne

Parametry elektryczne określone przez producenta zapewniają stabilność pracy chronionego układu. Zestawienie podstawowych parametrów prądowo-napięciowych:

• Szczytowa moc rozpraszana (PPK): minimum 600W (przy pojedynczym impulsie o czasie trwania 1ms).
• Napięcie przebicia złącza (VBR): od 31.4V do 34.7V (przy prądzie testowym It wynoszącym 1.0mA).
• Maksymalne robocze napięcie wsteczne (VRWM): 28.2V.
• Maksymalny prąd upływu (IR): 5.0μA (wartość mierzona przy napięciu VRWM).
• Maksymalne napięcie zaciskania (VRSM): 45.7V (przy maksymalnym prądzie udarowym).
• Maksymalny wsteczny prąd udarowy (IRSM): 13.2A.
• Ciągła moc rozpraszana (PD): 5.0W (przy temperaturze wyprowadzeń TL równej 75°C).
• Szczytowy prąd przewodzenia udarowego (IFSM): 100A (mierzony metodą JEDEC dla pojedynczego półokresu fali sinusoidalnej o czasie trwania 8.3ms).
• Maksymalny temperaturowy współczynnik napięcia przebicia: 0.098%/°C.
• Zakres temperatur pracy złącza oraz przechowywania (TJ, TSTG): od -55°C do +150°C.

P6SMB33A DO214AA-SMB MIC - Właściwości mechaniczne i montażowe

Komponent elektroniczny został zamknięty w obudowie DO-214AA (określanej jako SMB), wykonanej z formowanego tworzywa sztucznego. Zastosowana w produkcji żywica epoksydowa spełnia normę palności UL94V-O. Zewnętrzne wyprowadzenia elementu wyprofilowano w celu optymalizacji zautomatyzowanego lutowania rozpływowego na płytkach drukowanych PCB.

Z uwagi na jednokierunkową charakterystykę podzespołu, na korpusie znajduje się pasek, który denotuje fizyczne położenie katody. Pozwala to uniknąć błędnego pozycjonowania w procesie montażu SMT. Waga całkowita pojedynczej diody wynosi 0.093g. Produkt jest zgodny z dyrektywą środowiskową RoHS (oznaczenie Pb/RoHS Free), co potwierdza brak obecności ołowiu w jego konstrukcji. Architektura obudowy zezwala na bezproblemowy montaż elementu w dowolnej płaszczyźnie.