PESD3V3S2UT HXY MOSFET

Symbol Micros: DTPESD3V3S2UT HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
160W; 11A; 3,3V; unidirektional
Parameter
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Montage: SMD
Spannung: 3,3V
Leistung: 160W
Spezifikation: Unidirektional
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-10-23
Anzahl Stück: 27000
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Montage: SMD
Spannung: 3,3V
Leistung: 160W
Spezifikation: Unidirektional