SM712.TCT MSKSEMI

Symbol Micros: DTSM712.TCT MSK
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
7-12V; 340W; 12A; 8kV; 15kV; bidirektional; SMD; Verpackung: Band/Rolle
Parameter
Gehäuse: SOT-23
Hersteller: MSK
Montage: SMD
Spannung: 12V
Leistung: 340W
Spezifikation: Bidirektional
Hersteller: MSKSEMI Hersteller-Teilenummer: SM712.TCT RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4405 0,2661 0,2053 0,1851 0,1762
Standard-Verpackung:
2000
Hersteller: MSKSEMI Hersteller-Teilenummer: SM712.TCT RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
47015 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4405 0,2661 0,2053 0,1851 0,1762
Standard-Verpackung:
3000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-11-15
Anzahl Stück: 27000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-10-20
Anzahl Stück: 1000
Gehäuse: SOT-23
Hersteller: MSK
Montage: SMD
Spannung: 12V
Leistung: 340W
Spezifikation: Bidirektional
Ausführliche Beschreibung

SM712.TCT MSKSEMI – charakterystyka i przeznaczenie układu TVS

SM712.TCT marki MSKSEMI to dwukierunkowy układ zabezpieczający TVS, zaprojektowany z wykorzystaniem technologii solid-state silicon-avalanche. Element ten służy do ochrony dwóch linii transmisji danych przed skutkami wyładowań elektrostatycznych (ESD), szybkich stanów przejściowych (EFT) oraz przepięć indukowanych przez wyładowania atmosferyczne.

Struktura wewnętrzna komponentu w obudowie SOT-23 integruje asymetryczne diody lawinowe zabezpieczające linie sygnałowe o różnych poziomach napięć roboczych. Zapewnia to skuteczną ochronę wrażliwych układów scalonych, transceiverów oraz portów komunikacyjnych pracujących w trudnych warunkach przemysłowych. Urządzenie charakteryzuje się niskim napięciem odcięcia (clamping voltage), bardzo małym prądem upływu oraz zgodnością z normami IEC dotyczącymi odporności elektromagnetycznej.

SM712.TCT MSKSEMI – specyfikacja techniczna i parametry elektryczne

Parametry elektryczne oraz mechaniczne układu zostały określone w oparciu o standardowe warunki pomiarowe przy temperaturze otoczenia TA=25°C:

  • Moc szczytowa impulsu (Peak Pulse Power, tp=8/20μs): 340W
  • Szczytowy prąd impulsowy (Peak Pulse Current, tp=8/20μs): 12A
  • Odporność na wyładowania ESD (IEC 61000-4-2 kontakt): ±8kV
  • Odporność na wyładowania ESD (IEC 61000-4-2 powietrze): ±15kV
  • Odporność na szybkie stany przejściowe EFT (IEC 61000-4-4, 5/50ns): 40A
  • Odporność na udary odgromowe (IEC 61000-4-5 Lightning, 8/20μs): 12A
  • Napięcie pracy wstecznej (Reverse Stand-Off Voltage, VRWM): Piny 1 do 3 oraz 2 do 3: 12V; Piny 3 do 1 oraz 3 do 2: 7V
  • Minimalne napięcie przebicia (Reverse Breakdown Voltage, VBR @ IT=1mA): Piny 1 do 3 oraz 2 do 3: 13.3V; Piny 3 do 1 oraz 3 do 2: 7.5V
  • Maksymalny prąd upływu (Reverse Leakage Current, IR @ VRWM): 1μA (dla obu kierunków polaryzacji)
  • Maksymalne napięcie odcięcia (Clamping Voltage, VC): 28V przy IPP=12A, tp=8/20μs (Piny 1 do 3 i 2 do 3); 20V przy IPP=20A, tp=8/20μs (Piny 3 do 1 i 3 do 2)
  • Pojemność złącza (Junction Capacitance, Cj @ VR=0V, f=1MHz): 30pF
  • Typ obudowy: SOT-23 (3 wyprowadzenia)
  • Wymiary obudowy: 2.800-3.000mm x 1.200-1.400mm x 0.900-1.150mm
  • Klasa palności tworzywa obudowy: UL 94V-0
  • Dopuszczalna temperatura lutowania wyprowadzeń (Lead Soldering Temperature): 260°C (przez 10 sekund)
  • Zakres temperatury pracy złącza (TJ): od -55°C do +125°C
  • Zakres temperatury przechowywania (Tstg): od -55°C do +125°C
  • Pakowanie i zgodność standardów: RoHS, WEEE, taśma i szpula (3000 sztuk na rolce)

SM712.TCT MSKSEMI – obszary zastosowania w elektronice

Układ zabezpieczający SM712.TCT znajduje zastosowanie w obwodach wymagających ochrony przeciwprzepięciowej o niskiej pojemności pasożytniczej, która nie degraduje integralności przesyłanych sygnałów cyfrowych.

Główne obszary aplikacyjne obejmują:

  • Linie transmisji danych (Dataline): Zabezpieczenie symetrycznych i asymetrycznych magistral komunikacyjnych oraz interfejsów szeregowych pracujących w środowiskach narażonych na zakłócenia impulsowe.
  • Bankomaty i urządzenia samoobsługowe (Automatic Teller Machines): Ochrona wewnętrznych modułów sterujących, terminali płatniczych oraz systemów peryferyjnych przed wyładowaniami elektrostatycznymi pochodzącymi od użytkowników i otoczenia.
  • Infrastruktura sieciowa (Networks): Ochrona portów wejścia/wyjścia w routerach, przełącznikach sieciowych, węzłach komunikacyjnych oraz przemysłowych urządzeniach telemetrycznych.
  • Linie zasilające (Power line): Tłumienie przepięć i impulsów zakłócających w niskonapięciowych liniach dystrybucji zasilania prądu stałego.