EL357N(B) Everlight

Symbol Micros: OOPC357nb EVL
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP04
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Einzel-CTR 130-260 % ​​Vce 80 V Uiso 3,75 kV NPN-Fototransistor EL357N-G EL357N(B)(TA)-G
Parameter
Gehäuse: SOP04
Klickrate (CTR): 130%~260%
Isolationsspannung: 3750V
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Ausgangsspannung [V]: 80V
Hersteller: EVERLIGHT Hersteller-Teilenummer: EL357N(B)(TA)-G RoHS Gehäuse: SOP04 t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2275 0,1150 0,0693 0,0547 0,0506
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Standard-Verpackung:
500
Hersteller: EVERSPIN Hersteller-Teilenummer: EL357N(B)(TA)-G Gehäuse: SOP04  
Externes Lager:
2700 stk.
Anzahl Stück 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0951
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Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Gehäuse: SOP04
Klickrate (CTR): 130%~260%
Isolationsspannung: 3750V
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Ausgangsspannung [V]: 80V

Symbol Micros

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