EL357N(C)(TA) 4SMD

Symbol Micros: OOPC357n3t EVL
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOIC04
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Einzel-CTR 200-400 % Vce 80 V Uiso 3,75 kV NPN-Fototransistor EL357N-G EL357N(C)(TA)-G EL357NC-G EL357N(C)-G EL357NC-TA-G EL357N(C)(TA)-G EL357NC-TB-G EL357N(C)(TB)-G ; EL357NC-TA-VG; EL357N(C)(TA)-VG;
Parameter
Klickrate (CTR): 200-400%
Gehäuse: SOIC04
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 80V
Hersteller: EVERLIGHT Hersteller-Teilenummer: EL357N(C)(TA)-G RoHS Gehäuse: SOIC04t/r Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2213 0,1210 0,0794 0,0686 0,0632
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: EVERLIGHT Hersteller-Teilenummer: EL357N(C)(TA)-G RoHS Gehäuse: SOIC04t/r Datenblatt
Auf Lager:
1500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2213 0,1224 0,0813 0,0679 0,0632
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1500
Hersteller: EVERLIGHT Hersteller-Teilenummer: EL357N(C)(TA)-G RoHS Gehäuse: SOIC04t/r Datenblatt
Auf Lager:
21000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2213 0,1224 0,0813 0,0679 0,0632
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3500
Hersteller: EVERLIGHT Hersteller-Teilenummer: EL357N(C)(TA)-G RoHS Gehäuse: SOIC04t/r Datenblatt
Auf Lager:
3995 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2213 0,1224 0,0813 0,0679 0,0632
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Klickrate (CTR): 200-400%
Gehäuse: SOIC04
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 80V

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole