FDD4141

Symbol Micros: TFDD4141
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 18,7 mOhm; 58A; 69W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 18,7mOhm
Max. Drainstrom: 58A
Maximaler Leistungsverlust: 69W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDD4141 RoHS Gehäuse: TO252 (DPAK) t/r  
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Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8447 0,5308 0,4408 0,3924 0,3670
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDD4141 Gehäuse: TO252 (DPAK)  
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Nettopreis (EUR) 0,7156
Standard-Verpackung:
100
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Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 18,7mOhm
Max. Drainstrom: 58A
Maximaler Leistungsverlust: 69W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD