FDD8896 TO-252 TECH PUBLIC

Symbol Micros: TFDD8896 TEC
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,5mOhm
Max. Drainstrom: 90A
Maximaler Leistungsverlust: 181W
Gehäuse: TO252
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: FDD8896-TP RoHS Gehäuse: TO252t/r  
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 40+ 150+ 600+
Nettopreis (EUR) 0,4513 0,2938 0,2165 0,1864 0,1735
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Standard-Verpackung:
150
Widerstand im offenen Kanal: 7,5mOhm
Max. Drainstrom: 90A
Maximaler Leistungsverlust: 181W
Gehäuse: TO252
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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