FDN304P

Symbol Micros: TFDN304p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SSOT3
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 100 mOhm; 2,4A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SSOT3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SSOT3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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