FDN304P

Symbol Micros: TFDN304p

Gehäuse: SSOT3

P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 100 mOhm; 2,4A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	2,4A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SSOT3
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDN304P Gehäuse: SSOT3

Externes Lager:

420000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,1041

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDN304P Gehäuse: SSOT3

Externes Lager:

228000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,0736

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	2,4A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SSOT3
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1800	0,0854	0,0480	0,0365	0,0327

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1397	0,0640	0,0348	0,0261	0,0233