FDN304P
Symbol Micros:
TFDN304p
Gehäuse: SSOT3
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 100 mOhm; 2,4A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 100mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | SSOT3 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDN304P
Gehäuse: SSOT3
Externes Lager:
1017000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1136 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDN304P
Gehäuse: SSOT3
Externes Lager:
447000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1003 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDN304P
Gehäuse: SSOT3
Externes Lager:
102000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0972 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 100mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | SSOT3 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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2000 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,2051 | 0,0973 | 0,0548 | 0,0415 | 0,0373 |
Standard-Verpackung: 3000
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