FDN338P
 Symbol Micros:
 
 TFDN338p 
 
  
 
 
 
 
 Gehäuse: SSOT3
 
 
 
 P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 165 mOhm; 1,6A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; 
 
 
 
 Parameter 
 
 	
		
											
 
 
 
 | Widerstand im offenen Kanal: | 165mOhm | 
| Max. Drainstrom: | 1,6A | 
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW | 
| Gehäuse: | SSOT3 | 
| Hersteller: | Fairchild | 
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V | 
| Transistor-Typ: | P-MOSFET | 
 
 
 Hersteller: ON-Semicoductor
 
 
 Hersteller-Teilenummer: FDN338P RoHS
 
 
 Gehäuse: SSOT3
 
 
 
  
 
 
 
 
 
 Auf Lager:
 
 
 3000 stk.
 
 
 | Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ | 
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3292 | 0,1815 | 0,1427 | 0,1322 | 0,1267 | 
| Widerstand im offenen Kanal: | 165mOhm | 
| Max. Drainstrom: | 1,6A | 
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW | 
| Gehäuse: | SSOT3 | 
| Hersteller: | Fairchild | 
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V | 
| Transistor-Typ: | P-MOSFET | 
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V | 
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C | 
| Montage: | SMD | 
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