FDV301N

Symbol Micros: TFDV301n

Gehäuse: SOT23

N-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 8V; 9Ohm; 220mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FDV301N-NB9V008;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	9Ohm
Max. Drainstrom:	220mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	25V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDV301N RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

20540 stk.

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1047+	5235+
Nettopreis (EUR)	0,1293	0,0517	0,0301	0,0249	0,0235

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDV301N RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

833 stk.

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1047+	5235+
Nettopreis (EUR)	0,1293	0,0517	0,0301	0,0249	0,0235

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDV301N RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

193 stk.

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1047+	5235+
Nettopreis (EUR)	0,1293	0,0517	0,0301	0,0249	0,0235

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDV301N Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

107739 stk.

Anzahl Stück	9000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,0235

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDV301N Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

12000 stk.

Anzahl Stück	100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,0402

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDV301N Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

3486000 stk.

Anzahl Stück	21000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,0235

Widerstand im offenen Kanal:	9Ohm
Max. Drainstrom:	220mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	25V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,1489	0,0595	0,0346	0,0289	0,0270