FMMT458TA

Symbol Micros: TFMMT458
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor NPN; 300; 500mW; 400V; 225mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 300; 500mW; 400V; 225mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 500mW
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 50MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 225mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 400V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 500mW
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 50MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 225mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 400V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN