FOD817DS
 Symbol Micros:
 
 OOPC817ds FAI 
 
  
 
 
 
 
 Gehäuse: PDIP04smd
 
 
 
 Einzel CTR 300-600 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor FOD817DSD 
 
 
 
 Parameter 
 
 	
		
											
 
 
 
 | Klickrate (CTR): | 300-600% | 
| Gehäuse: | PDIP04smd | 
| Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor | 
| Isolationsspannung: | 5000V | 
| Ausgangsspannung: | 70V | 
 
 
 Hersteller: ON-Semicoductor
 
 
 Hersteller-Teilenummer: FOD817DSD RoHS
 
 
 Gehäuse: PDIP04smd
 
 
 
 	
 		
 	
 	 
 
 Datenblatt 
 
 
 
 
 
 Auf Lager:
 
 
 40 stk.
 
 
 | Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ | 
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4392 | 0,2419 | 0,1905 | 0,1764 | 0,1691 | 
 
 
 Hersteller: Fairchild
 
 
 Hersteller-Teilenummer: FOD817DS RoHS
 
 
 Gehäuse: PDIP04smd
 
 
 
  
 
 
 
 
 
 Auf Lager:
 
 
 24 stk.
 
 
 | Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ | 
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4392 | 0,2419 | 0,1905 | 0,1764 | 0,1691 | 
| Klickrate (CTR): | 300-600% | 
| Gehäuse: | PDIP04smd | 
| Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor | 
| Isolationsspannung: | 5000V | 
| Ausgangsspannung: | 70V | 
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
 
 Abbrechen 
 
  Alle Auftragnehmer-Symbole