FOD817DS

Symbol Micros: OOPC817ds FAI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
Einzel CTR 300-600 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor FOD817DSD
Parameter
Gehäuse: PDIP04smd
Klickrate (CTR): 300-600%
Isolationsspannung: 5000V
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Ausgangsspannung [V]: 70V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FOD817DS RoHS Gehäuse: PDIP04smd Datenblatt
Auf Lager:
120 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3117 0,1656 0,1283 0,1213 0,1135
Standard-Verpackung:
100/200
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FOD817DS RoHS Gehäuse: PDIP04smd  
Auf Lager:
24 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3117 0,1656 0,1283 0,1185 0,1135
Standard-Verpackung:
100
Gehäuse: PDIP04smd
Klickrate (CTR): 300-600%
Isolationsspannung: 5000V
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Ausgangsspannung [V]: 70V