FQP50N06

Symbol Micros: TFQP50n06
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 22mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 120W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-05-18
Anzahl Stück: 200
Widerstand im offenen Kanal: 22mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 120W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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