FQP50N06

Symbol Micros: TFQP50n06

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120 W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	22mOhm
Max. Drainstrom:	50A
Maximaler Leistungsverlust:	120W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQP50N06 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

20 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	1,1832	0,7864	0,6080	0,5869	0,5634

Widerstand im offenen Kanal:	22mOhm
Max. Drainstrom:	50A
Maximaler Leistungsverlust:	120W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT