GT700P08D3

Symbol Micros: GT700P08D3 GO
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Gehäuse: DFN08(3x3)
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MOSFET-Transistor; DFN3*3-8L; P-Channel; NO ESD; -80V; -16A; 69W; -2,5 V; 57m?
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: 16A
Maximaler Leistungsverlust: 69W
Gehäuse: DFN08(3x3)
Hersteller: Goford
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: 16A
Maximaler Leistungsverlust: 69W
Gehäuse: DFN08(3x3)
Hersteller: Goford
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Montage: SMD

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