IRF1404PBF-CN CHIPNOBO

Symbol Micros: TIRF1404 CNB
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 6,6mOhm; 130A; 190W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRF1404PBF; SP001561374;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,6mOhm
Max. Drainstrom: 130A
Maximaler Leistungsverlust: 190W
Gehäuse: TO220
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: CHIPNOBO Hersteller-Teilenummer: IRF1404PBF-CN RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
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100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,1400 0,7584 0,5854 0,5665 0,5428
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 6,6mOhm
Max. Drainstrom: 130A
Maximaler Leistungsverlust: 190W
Gehäuse: TO220
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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