IRF1405
Symbol Micros:
TIRF1405
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 5,3 mOhm; 169A; 330 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1405PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 5,3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 169A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 330W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRF1405 RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,3617 | 1,0378 | 0,8605 | 0,7541 | 0,7163 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF1405PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
23195 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7163 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF1405PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
237050 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7163 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF1405PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2680 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7740 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 5,3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 169A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 330W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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