IRF1405

Symbol Micros: TIRF1405
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 5,3 mOhm; 169A; 330 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1405PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5,3mOhm
Max. Drainstrom: 169A
Maximaler Leistungsverlust: 330W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1405 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
130 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,2363 0,8654 0,6928 0,6718 0,6508
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1405PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6508
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1405PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
230050 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6508
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1405PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
20960 stk.
Anzahl Stück 200+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6508
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 5,3mOhm
Max. Drainstrom: 169A
Maximaler Leistungsverlust: 330W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT