IRF1407
Symbol Micros:
TIRF1407
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 7,8 mOhm; 130A; 330 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1407PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,8mOhm |
| Max. Drainstrom: | 130A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 330W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRF1407PBF RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
90 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,5224 | 1,0638 | 0,8487 | 0,8132 | 0,8014 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF1407PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
290 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8014 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF1407PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2300 stk.
| Anzahl Stück | 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8014 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,8mOhm |
| Max. Drainstrom: | 130A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 330W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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