IRF3710S

Symbol Micros: TIRF3710s

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3710SPBF; IRF3710STRLPBF; IRF3710SPBF-GURT;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	23mOhm
Max. Drainstrom:	57A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3710STRLPBF RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)

Auf Lager:

284 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,1325	0,7941	0,6744	0,6169	0,5962

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3710STRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

1830 stk.

Anzahl Stück	10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,8148

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3710STRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

10400 stk.

Anzahl Stück	800+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,9121

Widerstand im offenen Kanal:	23mOhm
Max. Drainstrom:	57A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD