IRF510PBF

Name: TIRF510 TIRF510
Brand: -
SKU: TIRF510
Price: 0.3371 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF510

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 540 mOhm; 5,6A; 43W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF510PBF; IRF510;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	540mOhm
Max. Drainstrom:	5,6A
Maximaler Leistungsverlust:	43W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF510PBF RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

350 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	350+
Nettopreis (EUR)	0,7745	0,4852	0,3804	0,3576	0,3371

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF510 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

35 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	350+
Nettopreis (EUR)	0,7745	0,4852	0,3804	0,3576	0,3371

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF510PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,3371

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF 510 PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

71 stk.

Anzahl Stück	1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,5080

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF510PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

9463 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,3371

Widerstand im offenen Kanal:	540mOhm
Max. Drainstrom:	5,6A
Maximaler Leistungsverlust:	43W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5923	0,3759	0,2961	0,2688	0,2574