IRF520N

Name: TIRF520n TIRF520n
Brand: Infineon
SKU: TIRF520n
Price: 0.4797 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF520n

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 200 mOhm; 9,7A; 48W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF520NPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	200mOhm
Max. Drainstrom:	9,7A
Maximaler Leistungsverlust:	48W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF520N RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

44 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,0074	0,7401	0,5939	0,5094	0,4797

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF520NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1200 stk.

Anzahl Stück	10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,4797

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF520NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

12553 stk.

Anzahl Stück	700+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,4797

Widerstand im offenen Kanal:	200mOhm
Max. Drainstrom:	9,7A
Maximaler Leistungsverlust:	48W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5939	0,3769	0,2970	0,2696	0,2581