IRF520N

Name: TIRF520n TIRF520n
Brand: Infineon
SKU: TIRF520n
Price: 0.3840 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF520n

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 200 mOhm; 9,7A; 48W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF520NPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	200mOhm
Max. Drainstrom:	9,7A
Maximaler Leistungsverlust:	48W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF520NPBF RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

300 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	300+	900+
Nettopreis (EUR)	0,7439	0,4709	0,3708	0,3322	0,3231

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF520N RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

44 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	300+	900+
Nettopreis (EUR)	0,7439	0,4709	0,3708	0,3322	0,3231

Widerstand im offenen Kanal:	200mOhm
Max. Drainstrom:	9,7A
Maximaler Leistungsverlust:	48W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT