IRF5210STRLPBF-CN CHIPNOBO

Symbol Micros: TIRF5210s CNB
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 65mOhm; 30A; 120W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF5210SPBF; IRF5210STRLPBF; IRF5210STRRPBF; SP001570130; SP001554020; SP001561786;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 120W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: CHIPNOBO Hersteller-Teilenummer: IRF5210STRLPBF-CN RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,3392 0,9384 0,7969 0,7285 0,7050
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 120W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole