IRF530NS

Symbol Micros: TIRF530 ns

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF530NSPBF; IRF530NSPBF-GURT; IRF530NSTRLPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	90mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	70W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF530NS RoHS Gehäuse: TO263t/r Datenblatt

Auf Lager:

45 stk.

Anzahl Stück	2+	5+	15+	45+
Nettopreis (EUR)	0,8124	0,5793	0,4293	0,3531

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF530NSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

1600 stk.

Anzahl Stück	800+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,5595

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF530NSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

3520 stk.

Anzahl Stück	10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,7067

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF530NSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

39200 stk.

Anzahl Stück	800+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,5981

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF530NSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

43200 stk.

Anzahl Stück	800+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,5835

Widerstand im offenen Kanal:	90mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	70W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,6324	0,3970	0,3300	0,2931	0,2746