IRF540N

Symbol Micros: TIRF540n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF540NPBF; IRF 540N PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 44mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 130W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF540N RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
384 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 300+ 900+
Nettopreis (EUR) 0,7665 0,4857 0,3821 0,3430 0,3338
Standard-Verpackung:
50/1000
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF540N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
2300 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 300+ 900+
Nettopreis (EUR) 0,7665 0,4857 0,3821 0,3430 0,3338
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF 540 N PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
130 stk.
Anzahl Stück 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5133
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF540NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
15700 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5065
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 44mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 130W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT