IRF540NS
Symbol Micros:
TIRF540ns
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF540NSPBF; IRF540NSTRLPBF; IRF540NSTRRPBF; SP001564346; SP001563324; SP001571284;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 44mOhm |
| Max. Drainstrom: | 33A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 130W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRF540NSTRL RoHS
Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1389 | 0,8358 | 0,6701 | 0,5754 | 0,5422 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF540NSTRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
2400 stk.
| Anzahl Stück | 1600+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5422 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF540NSTRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
4490 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5422 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 44mOhm |
| Max. Drainstrom: | 33A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 130W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,7080 | 0,4475 | 0,3528 | 0,3220 | 0,3078 |
Standard-Verpackung: 50
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Standard-Verpackung: 100
Menge (Vielfache 1)
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50 stk.
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| Nettopreis (EUR) | 0,5730 | 0,3599 | 0,2841 | 0,2605 | 0,2486 |
Standard-Verpackung: 50/150
Menge (Vielfache 1)
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