IRF540NS
Symbol Micros:
TIRF540ns
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF540NSPBF; IRF540NSTRLPBF; IRF540NSTRRPBF; SP001564346; SP001563324; SP001571284;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 44mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 130W |
| Max. Drainstrom: | 33A |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRF540NSTRL RoHS
Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2747 | 0,8939 | 0,7592 | 0,6942 | 0,6710 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF540NSTRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
108000 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6710 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF540NSTRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
7230 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6710 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF540NSTRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
1600 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6710 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 44mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 130W |
| Max. Drainstrom: | 33A |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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Standard-Verpackung: 50
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Standard-Verpackung: 50/200
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Gehäuse:
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200 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,6362 | 0,4017 | 0,3181 | 0,2902 | 0,2763 |
Standard-Verpackung: 200
Menge (Vielfache 1)
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