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IRF540NS

Name: TIRF540ns TIRF540ns
Brand: Infineon
SKU: TIRF540ns
Price: 0.7152 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF540ns

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Datenblatt

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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF540NSPBF; IRF540NSTRLPBF; IRF540NSTRRPBF; SP001564346; SP001563324; SP001571284;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	44mOhm
Max. Drainstrom:	33A
Maximaler Leistungsverlust:	130W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF540NSTRL RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,1412	0,8375	0,6714	0,5765	0,5433

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF540NSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

4740 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5433

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF540NSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

92800 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5433

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	44mOhm
Max. Drainstrom:	33A
Maximaler Leistungsverlust:	130W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7094	0,4484	0,3535	0,3227	0,3084

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,8138	0,5101	0,4247	0,3772	0,3535

IRF540NS

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