IRF540NS
Symbol Micros:
TIRF540ns
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF540NSPBF; IRF540NSTRLPBF; IRF540NSTRRPBF; SP001564346; SP001563324; SP001571284;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 44mOhm |
| Max. Drainstrom: | 33A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 130W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF540NSTRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
37600 stk.
| Anzahl Stück | 1600+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2898 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF540NSTRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
4770 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4327 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF540NSTRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
88000 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3019 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-12-12
Anzahl Stück: 50
| Widerstand im offenen Kanal: | 44mOhm |
| Max. Drainstrom: | 33A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 130W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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Standard-Verpackung: 100
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