IRF630

Name: TIRF630 TIRF630
Brand: Infineon
SKU: TIRF630
Price: 0.4105 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF630

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 400 mOhm; 9A; 74W; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF630PBF; IRF630NPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	400mOhm
Max. Drainstrom:	9A
Maximaler Leistungsverlust:	74W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Inchange Semiconductors
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF630 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

155 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	10+	50+	450+
Nettopreis (EUR)	0,8633	0,5724	0,5138	0,4410	0,4105

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF630PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

400 stk.

Anzahl Stück	350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4105

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF630NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

88500 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4105

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF630NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

123024 stk.

Anzahl Stück	500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4105

Widerstand im offenen Kanal:	400mOhm
Max. Drainstrom:	9A
Maximaler Leistungsverlust:	74W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Inchange Semiconductors
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,5888	0,3683	0,2886	0,2721	0,2557

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6053	0,3824	0,3026	0,2745	0,2627