IRF630

Name: TIRF630 TIRF630
Brand: Vishay
SKU: TIRF630
Price: 0.3956 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF630

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 400 mOhm; 9A; 74W; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF630PBF; IRF630NPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	400mOhm
Max. Drainstrom:	9A
Maximaler Leistungsverlust:	74W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Inchange Semiconductors
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF630 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

105 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	10+	50+	450+
Nettopreis (EUR)	0,8320	0,5516	0,4951	0,4250	0,3956

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF630PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

2800 stk.

Anzahl Stück	50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,3956

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: IRF630 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

3345 stk.

Anzahl Stück	350+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,3956

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF630PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

2330 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,3956

Widerstand im offenen Kanal:	400mOhm
Max. Drainstrom:	9A
Maximaler Leistungsverlust:	74W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Inchange Semiconductors
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,5675	0,3549	0,2781	0,2622	0,2464

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5833	0,3685	0,2916	0,2645	0,2532