IRF7103TR JSMICRO

Symbol Micros: TIRF7103 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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2xN-Channel MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 55mOhm; 6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF7103PBF; IRF7103TRPBF; SP001563458; SP001562004;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 6,3A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRF7103TR RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Nettopreis (EUR) 0,3598 0,2375 0,1703 0,1458 0,1387
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Standard-Verpackung:
300
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 6,3A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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