IRF730

Symbol Micros: TIRF730
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 1Ohm; 5,5A; 74W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF730PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1Ohm
Max. Drainstrom: 5,5A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF730 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
177 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,9271 0,5827 0,4553 0,4317 0,4034
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Standard-Verpackung:
50/400
Widerstand im offenen Kanal: 1Ohm
Max. Drainstrom: 5,5A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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