IRF730
Symbol Micros:
TIRF730
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 1Ohm; 5,5A; 74W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF730PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1Ohm |
| Max. Drainstrom: | 5,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 74W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF730 RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
177 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9252 | 0,5815 | 0,4544 | 0,4308 | 0,4026 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF730PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
18650 stk.
| Anzahl Stück | 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5183 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF730PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1000 stk.
| Anzahl Stück | 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5040 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF730PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2102 stk.
| Anzahl Stück | 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4026 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1Ohm |
| Max. Drainstrom: | 5,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 74W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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Auf Lager
60 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,7157 | 0,4520 | 0,3578 | 0,3249 | 0,3108 |
Standard-Verpackung: 50
Menge (Vielfache 1)
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