IRF730

Symbol Micros: TIRF730
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 1Ohm; 5,5A; 74W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF730PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1Ohm
Max. Drainstrom: 5,5A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF730 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
227 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 200+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,9947 0,6601 0,5078 0,4801 0,4731
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF730PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
7 stk.
Anzahl Stück 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6866
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF730PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
6242 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4731
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF730PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1025 stk.
Anzahl Stück 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,7237
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1Ohm
Max. Drainstrom: 5,5A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT