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IRF7306TRPBF

Symbol Micros: TIRF7306

Gehäuse: SOP08

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2xP-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 160 mOhm; 3,6A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7306PBF (SPQ95); IRF7306TRPBF (4K/REEL); IRF7306; IRF7306PBF-GURT; IRF7306; IRF7306TRPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	160mOhm
Max. Drainstrom:	3,6A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	2xP-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7306TRPBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r

Auf Lager:

3652 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6311	0,4012	0,3167	0,2886	0,2745

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7306TRPBF Gehäuse: SOP08

Externes Lager:

4750 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3035

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7306TRPBF Gehäuse: SOP08

Externes Lager:

60000 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2745

Parameter
Beschreibung

Widerstand im offenen Kanal:	160mOhm
Max. Drainstrom:	3,6A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	2xP-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Ausführliche Beschreibung

Hersteller: International Rectifier
Transistortyp: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Transistorart: HEXFET
Spannung Drain-Source: -30V
Drainstrom: -3.6A
Leistung: 2W
Gehäuse: SO8
Spannung Gate-Source: 20V
Durchgangswiderstand: 160mΩ
Thermischer Widerstand Junction-Umgebung: 62.5K/W
Montage: SMD
Gate-Ladung: 16.7nC

IRF7306TRPBF

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