IRF7343TRPBF HXY MOSFET

Symbol Micros: TIRF7343 HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 60mOhm/115mOhm; 6A/5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF7343PBF; IRF7343TRPBF; SP001571976; SP001565516;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 115mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRF7343TRPBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
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200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5004 0,3031 0,2326 0,2098 0,1997
Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 115mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD