IRF7389

Symbol Micros: TIRF7389

Gehäuse: SOP08

N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 7,3A/5,3A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7389PBF; IRF7389TRPBF; IRF7389PBF-GURT;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	98mOhm
Max. Drainstrom:	7,3A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N/P-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7389TR RoHS Gehäuse: SOP08t/r

Auf Lager:

3330 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	1,0799	0,7184	0,5939	0,5352	0,5141

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7389TRPBF Gehäuse: SOP08

Externes Lager:

28000 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5141

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7389TRPBF Gehäuse: SOP08

Externes Lager:

900 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5141

Widerstand im offenen Kanal:	98mOhm
Max. Drainstrom:	7,3A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4672	0,2817	0,2172	0,1958	0,1864