IRF9530

Symbol Micros: TIRF9530
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 300 mOhm; 12A; 88W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9530PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 88W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF9530 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
389 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,4115 1,0773 0,8927 0,7829 0,7431
Standard-Verpackung:
50/700
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF9530PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
2750 stk.
Anzahl Stück 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7431
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF9530PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1400 stk.
Anzahl Stück 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7431
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF9530PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
16056 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7431
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 88W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT