IRF9530
Symbol Micros:
TIRF9530
Gehäuse: TO220
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 300 mOhm; 12A; 88W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9530PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 300mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 88W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF9530 RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
389 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4179 | 1,0822 | 0,8968 | 0,7864 | 0,7465 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF9530PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
6300 stk.
| Anzahl Stück | 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7465 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF9530PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
650 stk.
| Anzahl Stück | 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7465 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 300mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 88W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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