IRF9Z34N

Name: TIRF9Z34n TIRF9Z34n
Brand: Infineon
SKU: TIRF9Z34n
Price: 0.2986 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF9Z34n

Gehäuse: TO220

P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 100 mOhm; 19A; 68W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9Z34NPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	19A
Maximaler Leistungsverlust:	68W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF9Z34N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

52 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6656	0,4227	0,3340	0,3036	0,2896

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF9Z34NPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6656	0,4227	0,3340	0,3036	0,2896

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF9Z34PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1447 stk.

Anzahl Stück	350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3807

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF9Z34NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

4430 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2986

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF9Z34NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

15532 stk.

Anzahl Stück	500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2896

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	19A
Maximaler Leistungsverlust:	68W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	1+	5+	20+	50+	300+
Nettopreis (EUR)	0,8781	0,5815	0,4787	0,4461	0,4180