IRF9Z34N
Symbol Micros:
TIRF9Z34n
Gehäuse: TO220
P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 100 mOhm; 19A; 68W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9Z34NPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 100mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 68W |
| Max. Drainstrom: | 19A |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 100mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 68W |
| Max. Drainstrom: | 19A |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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