IRF9Z34N

Symbol Micros: TIRF9Z34n

Gehäuse: TO220

P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 100 mOhm; 19A; 68W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9Z34NPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	19A
Maximaler Leistungsverlust:	68W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF9Z34NPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,5895	0,3687	0,2889	0,2724	0,2560

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF9Z34N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

72 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,5895	0,3687	0,2889	0,2724	0,2560

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	19A
Maximaler Leistungsverlust:	68W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	1+	5+	20+	50+	300+
Nettopreis (EUR)	0,8831	0,5848	0,4815	0,4486	0,4204

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6764	0,4275	0,3382	0,3077	0,2936

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5825	0,3523	0,2701	0,2443	0,2325