IRFL9014TRPBF-CN CHIPNOBO

Symbol Micros: TIRFL9014 CNB
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 99mOhm; 10A; 31,3W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRFL9014PBF; IRFL9014TRPBF; IRFL9014TRPBF-BE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 99mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 31,3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 99mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 31,3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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