IRFP064NPBF

Symbol Micros: TIRFP064n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP064NPBF; IRFP064N;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP064NPBF RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
475 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,5903 1,1785 1,0169 0,9578 0,9350
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Standard-Verpackung:
25
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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